微孔氣流加壓對(duì)ITO玻璃激光刻蝕平面度的影響
氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)是一種銦錫金屬氧化物,具有光學(xué)透明性[
目前,對(duì)電子芯片的刻蝕工藝主要為黃光蝕刻、等離子體刻蝕和激光刻蝕。其中,黃光蝕刻主要是利用高腐蝕性的化學(xué)劑對(duì)玻璃表面進(jìn)行多次腐蝕,此方法存在污染嚴(yán)重,樣品制作流程較長(zhǎng)的問(wèn)題[
微孔陶瓷材料由于其高硬度、耐磨性和低密度被廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。陶瓷體內(nèi)的微孔結(jié)構(gòu)適用于滲透技術(shù)[
2 精密刻蝕壓力場(chǎng)分析
2.1 基于微孔加壓的刻蝕模型
圖1 微氣流陣列加壓的激光刻蝕模型
Fig. 1 Laser etching model with micro airflow array pressurization
仿真參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
氣流壓力p/kPa | 0.15~0.20 |
刻蝕間隙h/mm | 1.60~1.90 |
微孔黏滯阻力/m-2 | 水平方向: 2.111×105 垂直方向: 2.111×108 |
微孔慣性阻力/m-1 | 水平方向: 1×103 垂直方向: 2.4×105 |
2.2 氣流與氣壓分布
圖2 激光刻蝕過(guò)程中氣流與氣壓的分析
Fig.2 Analysis of gas flow and pressure in laser etching process
2.3 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)最大氣流速度的影響
圖3 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)最大氣流速度的影響
Fig.3 Effects of airflow pressure and etching gap on maximum gas velocity
2.4 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)工件表面壓力的影響
圖4 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)表面最大壓力的影響
Fig.4 Effects of airflow pressure and etching gap on maximum surface pressure
3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及分析
3.1 激光刻蝕實(shí)驗(yàn)以及測(cè)試條件
圖5 微孔陶瓷表面及孔徑形貌
Fig.5 Morphology of microporous ceramic surface and its diameter
圖6實(shí)驗(yàn)裝置及激光光路示意圖
Fig.6Schematic diagram of experimental devices and laser path
實(shí)驗(yàn)參數(shù) | 值 |
---|---|
激光功率/W | 0.45±0.05 |
激光頻率/kHz | 280 |
激光波長(zhǎng)/nm | 355 |
離焦量/mm | -0.1~0.1 |
進(jìn)給速度/(mm·s-1) | 700±200 |
工件厚度/mm | 0.4 |
刻蝕方式 | 雙面刻蝕 |
圖7 ITO玻璃表面平面度測(cè)量
Fig.7 Surface flatness measurement of ITO glass
圖8 ITO玻璃表面微觀形變
Fig.8 Surface micro deformation of ITO glass
3.2 ITO玻璃表面刻蝕線路形貌
圖9 ITO玻璃表面線路的SEM微觀形貌
Fig.9 SEM morphology of lines on ITO glass
3.3 氣流壓力對(duì)表面平面度的影響
實(shí)際生產(chǎn)中,在氣流壓力為0.18 kPa以及刻蝕間隙為1.9 mm左右時(shí),ITO玻璃刻蝕表面的平整度較好。以此條件為基準(zhǔn)研究氣流壓力以及刻蝕間隙對(duì)平面度的影響。
圖10 微孔氣流加壓的玻璃平面度
Fig.10 ITO glass flatness pressurized by microporous airflow
對(duì)比應(yīng)用前后的平面度數(shù)值可知,當(dāng)供給壓力p為0.18 kPa時(shí),未應(yīng)用微孔陶瓷體的局部最大平面度為30 μm,最小為-40 μm,總平面度為70 μm;應(yīng)用微孔陶瓷體后,最大平面度為8 μm,最小平面度為3 μm,總平面度為5 μm。微孔陶瓷體裝置可以大幅提高ITO玻璃表面的平面度。
圖11 氣流壓力與ITO玻璃平面度PV的關(guān)系
Fig.11 Relationship between airflow pressure and flatness PV
微孔陶瓷體最理想的加載壓力在0.16~0.2 kPa,對(duì)應(yīng)仿真結(jié)果可知,工件表面的壓力在11.7~14.6 Pa,刻蝕后平面度較好。
3.4 刻蝕間隙對(duì)ITO表面平面度的影響
圖12 刻蝕間隙與ITO玻璃平面度PV的關(guān)系
Fig.12 Relationship between etching gap and flatness PV
綜上可知,當(dāng)工件表面所受到的氣壓壓力在13.2~14.4 Pa時(shí),刻蝕后的表面平面度數(shù)值最低。在非合適的壓力范圍內(nèi),激光刻蝕與ITO玻璃的形變無(wú)法匹配。在低于最優(yōu)壓力范圍時(shí),工件表面由于不能壓緊表面會(huì)產(chǎn)生較大的變形;而大于此壓力范圍時(shí),中心產(chǎn)生過(guò)大的下壓力而造成彎曲,這都不利于激光在刻蝕表面的定位。
3.5 ITO玻璃刻蝕線路
基于以上實(shí)驗(yàn),選取最優(yōu)參數(shù)在ITO玻璃表面進(jìn)行激光刻蝕線路,使用20倍鏡頭的光學(xué)顯微鏡對(duì)刻蝕ITO表面線路及銀漿線路形貌進(jìn)行觀察,如
圖13 ITO玻璃表面刻蝕線路形貌
Fig.13 Morphology of etching circuit on ITO glass surface
4 結(jié) 論
本文在ITO玻璃的激光刻蝕中應(yīng)用微孔氣流加壓,加壓氣體通過(guò)微孔使ITO玻璃表面存在氣體流動(dòng),使得大面積玻璃表面的壓力均勻分布,有利于刻蝕表面的定位。在微孔陶瓷體下方,表面正壓力達(dá)到最大,且最大正壓力與氣體氣流壓力以及刻蝕間隙呈線性關(guān)系。壓力過(guò)小不足以壓緊表面,而壓力過(guò)大則中心產(chǎn)生過(guò)大的下壓力而造成彎曲,都會(huì)導(dǎo)致最終刻蝕線路的不完整。氣流壓力以及刻蝕間隙與工件平面度呈先減小后增加的趨勢(shì)。在合適的范圍內(nèi),工件表面所受到的壓力足以壓緊工件而不產(chǎn)生過(guò)大的微形變。當(dāng)供給壓力p在0.16~0.2 kPa,調(diào)節(jié)間隙h在1.8~1.9 mm時(shí),工件表面的最優(yōu)壓力為13.2~14.4 Pa ,刻蝕后平面度為8 μm,相比降低90%,工件平面度的提升幅度較大。
應(yīng)用微孔陶瓷裝置進(jìn)行刻蝕可以解決刻蝕表面平面度及加工效率等問(wèn)題,產(chǎn)生的線路分布較為均勻,消除了通常無(wú)微孔氣流加壓的刻蝕導(dǎo)致的局部微觀電路短路或者開(kāi)路現(xiàn)象,提高了產(chǎn)品的良品率。
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