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微孔氣流加壓對(duì)ITO玻璃激光刻蝕平面度的影響

作者:陳絨 陳釗杰 謝晉來(lái)源:《光學(xué)精密工程》日期:2022-09-02人氣:908

氧化銦錫(Indium Tin Oxide, ITO)是一種銦錫金屬氧化物,具有光學(xué)透明性1、高導(dǎo)電性2、易加工性3及柔性潛力4等優(yōu)點(diǎn),廣泛應(yīng)用于光電檢測(cè)、生物芯片及微納器件等領(lǐng)域。ITO導(dǎo)電玻璃是在鈉鈣基或硅硼基基片玻璃的基礎(chǔ)上,利用磁控濺射的方法鍍上一層ITO膜加工制作成的5。近年來(lái),在平板顯示領(lǐng)域,ITO作為觸控功能片得到了廣泛應(yīng)用。在觸控功能片的表面均勻整齊分布著線路,在刻蝕表面線路時(shí),容易因加工設(shè)備的不穩(wěn)定而出現(xiàn)短路狀態(tài),造成良品率下降。另外,ITO玻璃屬于硬脆材料,加工難度比較大。

目前,對(duì)電子芯片的刻蝕工藝主要為黃光蝕刻、等離子體刻蝕和激光刻蝕。其中,黃光蝕刻主要是利用高腐蝕性的化學(xué)劑對(duì)玻璃表面進(jìn)行多次腐蝕,此方法存在污染嚴(yán)重,樣品制作流程較長(zhǎng)的問(wèn)題6。等離子體刻蝕存在工藝復(fù)雜、制備周期長(zhǎng)以及成本高等問(wèn)題7。這不僅涉及刻蝕原理,而且還涉及到加工工藝及裝置精度等問(wèn)題。激光刻蝕的原理為當(dāng)激光光束聚焦于工件時(shí),玻璃吸收了光熱能導(dǎo)致材料受壓、熔化,或者表面材料蒸發(fā)8。激光刻蝕工藝具有環(huán)保、穩(wěn)定性高、樣品制作效率高等應(yīng)用特點(diǎn)9,具有非常好的市場(chǎng)發(fā)展前景。然而,在激光刻蝕中,激光熱使得工件出現(xiàn)微細(xì)的熱膨脹10,從而引起熱裂紋。有學(xué)者用高頻率的飛秒激光改善刻蝕質(zhì)量11,也有通過(guò)改變激光波長(zhǎng)來(lái)優(yōu)化刻蝕工藝的研究12。但是,工件平臺(tái)裝夾的定位誤差很難保證微米尺度的平面度,從而導(dǎo)致刻蝕線路短路等不良品的出現(xiàn)。

微孔陶瓷材料由于其高硬度、耐磨性和低密度被廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)制造中。陶瓷體內(nèi)的微孔結(jié)構(gòu)適用于滲透技術(shù)13、壓電材料14和生物醫(yī)學(xué)中15,并且微孔陶瓷通過(guò)吸附已經(jīng)用于薄板工件定位,但尚未用于ITO玻璃激光刻蝕定位。本文在ITO玻璃表面線路的激光刻蝕中應(yīng)用微孔氣流加壓技術(shù),采用微孔陶瓷表面的微流體陣列均布在工件表面,確保平面度。研究了氣流壓力和刻蝕間隙對(duì)工件表面壓力分布的影響,通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析不同工藝參數(shù)對(duì)表面平面度的影響,驗(yàn)證了微孔氣流加壓的刻蝕線路質(zhì)量。

2 精密刻蝕壓力場(chǎng)分析

2.1 基于微孔加壓的刻蝕模型

圖1為將微孔陶瓷體應(yīng)用在ITO玻璃激光刻蝕的模型。傳統(tǒng)刻蝕工藝是用激光直接刻蝕ITO玻璃。在本文提出的改進(jìn)工藝中,微孔陶瓷體的中軸與作用于ITO玻璃表面的聚焦光束共線。通過(guò)在微孔陶瓷體表面加載加壓氣體(氣流壓力為p)以及調(diào)整陶瓷體與ITO玻璃間的刻蝕間隙h,氣體經(jīng)過(guò)陣列微孔可流動(dòng)到工件表面,對(duì)表面加載一定的氣壓,可以在刻蝕過(guò)程中提高玻璃的平面度,更有利于刻蝕表面定位。為探索微孔陶瓷體裝置的氣流壓力p與刻蝕間隙h對(duì)刻蝕工藝的影響,使用ANSYS仿真軟件分別對(duì)微孔陶瓷體氣體流動(dòng)方向與作用于ITO玻璃表面的氣壓進(jìn)行仿真分析,表1為仿真參數(shù)。其中,微孔陶瓷對(duì)氣體流動(dòng)的影響用不同方向的風(fēng)阻系數(shù)描述,其余條件與實(shí)際刻蝕條件一致。

圖1  微氣流陣列加壓的激光刻蝕模型

Fig. 1  Laser etching model with micro airflow array pressurization


表1  微氣流陣列加壓條件
Tab.1  Conditions of micro airflow array pressurization
仿真參數(shù)數(shù)值
氣流壓力p/kPa0.15~0.20
刻蝕間隙h/mm1.60~1.90
微孔黏滯阻力/m-2

水平方向: 2.111×105

垂直方向: 2.111×108

微孔慣性阻力/m-1

水平方向: 1×103

垂直方向: 2.4×105


2.2 氣流與氣壓分布

圖2為刻蝕過(guò)程中微孔陶瓷體的氣體流動(dòng)與ITO玻璃表面壓力的分布云圖。由圖2(a)可知,氣體大部分垂直作用于工件表面,只有小部分會(huì)擴(kuò)散到其他區(qū)域。在氣流壓力p=0.18 kPa,刻蝕間隙h=1.9 mm時(shí),氣流的最大速度高達(dá)3.13 m/s。在同等條件下,根據(jù)有限元分析可以發(fā)現(xiàn),ITO表面壓力的分布與微孔陶瓷的位置與形狀有關(guān),如圖2(b)所示。在中心處,表面正壓力達(dá)到最大,隨著與微孔陶瓷中心距離的增大,正應(yīng)力逐漸減小。在氣體流動(dòng)的區(qū)域上會(huì)對(duì)工件產(chǎn)生一定的壓力,使得玻璃總體區(qū)域的壓力分布較為均勻。這有利于對(duì)ITO玻璃在刻蝕時(shí)實(shí)現(xiàn)精確定位,在刻蝕中不會(huì)因?yàn)榧す鉄崤蛎泴?dǎo)致工件表面翹曲。

圖2  激光刻蝕過(guò)程中氣流與氣壓的分析

Fig.2  Analysis of gas flow and pressure in laser etching process


2.3 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)最大氣流速度的影響

圖3為氣流壓力p與刻蝕間隙h對(duì)最大氣流速度vm的影響。可以看出,隨著氣流壓力p的增加,最大氣流速度vm呈線性增加,速度從2.78 m/s增加到3.35 m/s。隨著刻蝕間隙h的增加,最大氣流速度變化無(wú)明顯規(guī)律,差異較小。氣流的速度會(huì)影響作用于ITO玻璃表面的氣壓力,從而影響最終刻蝕的平面度。

圖3  氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)最大氣流速度的影響

Fig.3  Effects of airflow pressure and etching gap on maximum gas velocity


2.4 氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)工件表面壓力的影響

圖4為氣流壓力p與刻蝕間隙h對(duì)工件表面最大壓力pm的影響??梢钥闯?,pm隨著氣流壓力p的增加呈線性增加,隨刻蝕間隙h的增加減小。當(dāng)h從1.9 mm降低到1.6 mm時(shí),pm從14.6 Pa增加到19.2 Pa,提升了31.5%;當(dāng)p從0.15 kPa增加到0.20 kPa,pm從14.4 Pa增加到19.2 Pa,提升了33.3%。過(guò)小的壓力不足以壓緊工件,而過(guò)大的壓力可能會(huì)壓彎工件,所以在實(shí)驗(yàn)中要根據(jù)仿真結(jié)果合理選擇實(shí)驗(yàn)參數(shù)進(jìn)行ITO玻璃的激光刻蝕。

圖4  氣流壓力與刻蝕間隙對(duì)表面最大壓力的影響

Fig.4  Effects of airflow pressure and etching gap on maximum surface pressure


3 實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)及分析

3.1 激光刻蝕實(shí)驗(yàn)以及測(cè)試條件

圖5為微孔陶瓷體表面的SEM形貌圖??梢钥闯?,其表面分布著微米級(jí)孔徑的微孔,微孔的平均直徑約為20 μm,且陶瓷材料表面具有隔熱、防靜電、表面精度高等特性,適合安裝在激光刻蝕的環(huán)境中。

圖5  微孔陶瓷表面及孔徑形貌

Fig.5  Morphology of microporous ceramic surface and its diameter


圖6為激光刻蝕裝備上的微孔陶瓷氣流加壓裝置。壓縮空氣通過(guò)氣管向微孔陶瓷體裝置產(chǎn)生供給壓力,調(diào)節(jié)間隙通過(guò)千分尺與調(diào)節(jié)螺栓組合調(diào)節(jié),可進(jìn)行雙面激光刻蝕。圖6(b)為刻蝕ITO玻璃所用的激光光路示意圖,刻蝕激光從激光發(fā)生器生成,經(jīng)過(guò)傳導(dǎo)鏡片、分束鏡等部件,最后通過(guò)掃描器裝置形成刻蝕光斑作用于工件表面。左上角為加載微孔陶瓷體后的光束直徑測(cè)量圖,光束直徑最終會(huì)影響經(jīng)過(guò)掃描器的場(chǎng)鏡聚焦后的刻蝕光斑尺寸。6 mm光束的聚焦性能更好,得到最優(yōu)的刻蝕光斑。被刻蝕的ITO玻璃工件放置在下方裝備平臺(tái)橫梁處,加工尺寸在400 mm×500 mm內(nèi)。


圖6實(shí)驗(yàn)裝置及激光光路示意圖

Fig.6Schematic diagram of experimental devices and laser path

表2為刻蝕ITO玻璃參數(shù)。為了獲得高質(zhì)量的刻蝕線路,分析應(yīng)用微孔陶瓷后所用實(shí)驗(yàn)參數(shù)中的氣流壓力(0.15~0.20 kPa)與刻蝕間隙h (1.6~1.9 mm)的離焦量都在-0.1~0.1 mm 內(nèi),說(shuō)明激光刻蝕工藝窗口符合要求。

表2  ITO玻璃刻蝕參數(shù)
Tab.2  Parameters of etched ITO glass
實(shí)驗(yàn)參數(shù)
激光功率/W0.45±0.05
激光頻率/kHz280
激光波長(zhǎng)/nm355
離焦量/mm-0.1~0.1
進(jìn)給速度/(mm·s-1700±200
工件厚度/mm0.4
刻蝕方式雙面刻蝕

圖7為ITO玻璃表面平面度測(cè)量方法示意圖。平面度定義為表面凸凹高度相對(duì)理想平面的偏差。測(cè)量?jī)x器為Keyence LK-HD500,橫向和縱向單邊分別選5個(gè)和15個(gè)測(cè)量點(diǎn)。通常,無(wú)應(yīng)用微氣流加壓的ITO玻璃平面度輪廓檢測(cè)如圖8所示,表面平面度為70 μm。

圖7  ITO玻璃表面平面度測(cè)量

Fig.7  Surface flatness measurement of ITO glass


圖8  ITO玻璃表面微觀形變

Fig.8  Surface micro deformation of ITO glass


3.2 ITO玻璃表面刻蝕線路形貌

圖9為有無(wú)微孔氣流加壓對(duì)ITO玻璃進(jìn)行激光刻蝕的表面線路SEM形貌對(duì)比。在不應(yīng)用微孔陶瓷時(shí),表面出現(xiàn)多余的刻蝕線路,刻蝕時(shí)易發(fā)生斷點(diǎn)或變形,這使最終產(chǎn)品出現(xiàn)局部短路現(xiàn)象從而產(chǎn)生不良品。由于平面度的降低,導(dǎo)致單條刻蝕線路會(huì)出現(xiàn)彎曲、分段的現(xiàn)象。應(yīng)用微孔氣流加壓后的線路表面均勻,沒(méi)有因刻蝕不完整而出現(xiàn)多余線路,同時(shí)單條刻蝕線路較為筆直,可以保證每一塊玻璃間的絕緣,說(shuō)明應(yīng)用微孔陶瓷后的激光刻蝕效果較好。

圖9  ITO玻璃表面線路的SEM微觀形貌

Fig.9  SEM morphology of lines on ITO glass


3.3 氣流壓力對(duì)表面平面度的影響

實(shí)際生產(chǎn)中,在氣流壓力為0.18 kPa以及刻蝕間隙為1.9 mm左右時(shí),ITO玻璃刻蝕表面的平整度較好。以此條件為基準(zhǔn)研究氣流壓力以及刻蝕間隙對(duì)平面度的影響。圖10為應(yīng)用微孔氣流加壓進(jìn)行激光刻蝕前后ITO玻璃工件表面平面度的分布情況??梢钥闯?,在應(yīng)用微孔陶瓷前,工件表面平面度的最大值與最小值集中在邊緣角落,而應(yīng)用微孔陶瓷后平面度分布較為均勻。

圖10  微孔氣流加壓的玻璃平面度

Fig.10  ITO glass flatness pressurized by microporous airflow


對(duì)比應(yīng)用前后的平面度數(shù)值可知,當(dāng)供給壓力p為0.18 kPa時(shí),未應(yīng)用微孔陶瓷體的局部最大平面度為30 μm,最小為-40 μm,總平面度為70 μm;應(yīng)用微孔陶瓷體后,最大平面度為8 μm,最小平面度為3 μm,總平面度為5 μm。微孔陶瓷體裝置可以大幅提高ITO玻璃表面的平面度。

圖11為微孔氣流加壓中不同氣流壓力p對(duì)ITO玻璃刻蝕后平面度的影響??梢钥闯觯跉饬鲏毫?.05~0.25 kPa時(shí),應(yīng)用微孔陶瓷后的ITO表面平面度值均低于初始的表面平面度,且平面度隨著壓力的升高呈先下降后上升的趨勢(shì)。從圖中可知,最理想的加載壓力在0.16~0.2 kPa,平面度可以保持在10 μm以內(nèi),在0.18 kPa時(shí)表面最為平整,相比初始工件表面低90%,說(shuō)明通過(guò)微孔氣流加載壓力優(yōu)化ITO電子玻璃平面度的效果比較理想。

圖11  氣流壓力與ITO玻璃平面度PV的關(guān)系

Fig.11  Relationship between airflow pressure and flatness PV


微孔陶瓷體最理想的加載壓力在0.16~0.2 kPa,對(duì)應(yīng)仿真結(jié)果可知,工件表面的壓力在11.7~14.6 Pa,刻蝕后平面度較好。

3.4 刻蝕間隙對(duì)ITO表面平面度的影響

圖12為微孔陶瓷體不同調(diào)節(jié)間隙h對(duì)ITO玻璃刻蝕后平面度的影響,刻蝕間隙從0.5 mm每次遞增0.1 mm至2.5 mm??梢钥闯?,隨著刻蝕間隙的增加,平面度呈先減小后上升的趨勢(shì),當(dāng)刻蝕間隙為1.6 ~1.9 mm時(shí),平面度值低于10 μm;刻蝕間隙最優(yōu)為1.8~1.9 mm,此時(shí)平面度數(shù)值最低,為8 μm。結(jié)果表明,微孔氣流加壓中刻蝕間隙優(yōu)化ITO電子玻璃平面度較理想。對(duì)應(yīng)圖4的仿真結(jié)果可知,工件表面的壓力在13.2~14.4 Pa,刻蝕后平面度較好。

圖12  刻蝕間隙與ITO玻璃平面度PV的關(guān)系

Fig.12  Relationship between etching gap and flatness PV


綜上可知,當(dāng)工件表面所受到的氣壓壓力在13.2~14.4 Pa時(shí),刻蝕后的表面平面度數(shù)值最低。在非合適的壓力范圍內(nèi),激光刻蝕與ITO玻璃的形變無(wú)法匹配。在低于最優(yōu)壓力范圍時(shí),工件表面由于不能壓緊表面會(huì)產(chǎn)生較大的變形;而大于此壓力范圍時(shí),中心產(chǎn)生過(guò)大的下壓力而造成彎曲,這都不利于激光在刻蝕表面的定位。

3.5 ITO玻璃刻蝕線路

基于以上實(shí)驗(yàn),選取最優(yōu)參數(shù)在ITO玻璃表面進(jìn)行激光刻蝕線路,使用20倍鏡頭的光學(xué)顯微鏡對(duì)刻蝕ITO表面線路及銀漿線路形貌進(jìn)行觀察,如圖13所示,線徑分別為8,25 μm??梢钥闯?,線路寬度均勻清晰,品質(zhì)優(yōu)異,表明應(yīng)用微孔陶瓷裝置進(jìn)行刻蝕產(chǎn)生的線路較為均勻,不會(huì)出現(xiàn)線路破碎或者短路的現(xiàn)象,提高了產(chǎn)品的良品率。

圖13  ITO玻璃表面刻蝕線路形貌

Fig.13  Morphology of etching circuit on ITO glass surface


4 結(jié) 論

本文在ITO玻璃的激光刻蝕中應(yīng)用微孔氣流加壓,加壓氣體通過(guò)微孔使ITO玻璃表面存在氣體流動(dòng),使得大面積玻璃表面的壓力均勻分布,有利于刻蝕表面的定位。在微孔陶瓷體下方,表面正壓力達(dá)到最大,且最大正壓力與氣體氣流壓力以及刻蝕間隙呈線性關(guān)系。壓力過(guò)小不足以壓緊表面,而壓力過(guò)大則中心產(chǎn)生過(guò)大的下壓力而造成彎曲,都會(huì)導(dǎo)致最終刻蝕線路的不完整。氣流壓力以及刻蝕間隙與工件平面度呈先減小后增加的趨勢(shì)。在合適的范圍內(nèi),工件表面所受到的壓力足以壓緊工件而不產(chǎn)生過(guò)大的微形變。當(dāng)供給壓力p在0.16~0.2 kPa,調(diào)節(jié)間隙h在1.8~1.9 mm時(shí),工件表面的最優(yōu)壓力為13.2~14.4 Pa ,刻蝕后平面度為8 μm,相比降低90%,工件平面度的提升幅度較大。

應(yīng)用微孔陶瓷裝置進(jìn)行刻蝕可以解決刻蝕表面平面度及加工效率等問(wèn)題,產(chǎn)生的線路分布較為均勻,消除了通常無(wú)微孔氣流加壓的刻蝕導(dǎo)致的局部微觀電路短路或者開(kāi)路現(xiàn)象,提高了產(chǎn)品的良品率。


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