RB-SiC金剛石磨粒柔性刻劃材料去除及表面損傷行為
隨著我國光學事業(yè)的發(fā)展,對光學系統(tǒng)中的重要零部件(如反射鏡)的材料性能及各方面要求逐漸提高,許多傳統(tǒng)材料已無法滿足要求[
目前,國內(nèi)外學者在反應燒結碳化硅的精密加工方面做了許多研究,如饒小雙開展RB-SiC陶瓷電火花機械復合磨削技術研究,得出在放電能量一定情況下,適中的磨粒粒度能夠減少加工損傷,同時得到溫度升高能夠促進RB-SiC陶瓷的塑性變形能力降低加工表面的硬度[
針對RB-SiC的低損傷加工,目前主要還是采用磨削、研磨及拋光的方式。而單顆磨??虅澐椒ǔS糜谘芯坎牧先コc損傷,部分學者通過單顆磨粒剛性刻劃方法對RB-SiC陶瓷的脆塑轉變行為進行研究,得到其脆塑轉變深度多處于微、納米級別,脆塑轉變時的臨界載荷多為毫牛量級[
砂帶磨削是介于砂輪磨削與砂紙拋光的彈性加工方法,具有“高效”、“冷態(tài)”加工的特點[
綜上所述,隨著砂帶磨削技術在精密磨削加工領域的逐步應用,砂帶磨削將在RB-SiC加工中具有重要研究意義。因此,本文擬開展單顆磨粒柔性刻劃實驗,對材料去除行為及損傷情況進行分析研究,為RB-SiC砂帶磨削研究奠定基礎。
2 實驗方案
2.1 實驗原理與平臺
圖1砂帶磨削工藝
Fig.1Abrasive belt grinding process
實驗利用金剛石磨粒在試件表面單方向移動劃出一定痕跡,所有刻劃實驗均在課題組自行搭建的4軸磨削-刻劃力多功能復合試驗機上進行,刻劃平臺整體結構如
圖2 刻劃實驗平臺及柔性刻劃原理圖
Fig.2 Scribing experiment platform and schematic diagram of flexible scribing
為了模擬砂帶磨削時的彈性接觸狀態(tài),設計了
2.2 實驗材料
實驗材料為反應燒結碳化硅復合材料,由不同粒徑的碳化硅顆粒及單質游離硅組成,其中碳化硅含量大于90%,氣孔率小于0.3%。采用電火花線切割技術將反應燒結碳化硅試件尺寸切割成為40 mm×15 mm×3 mm,如
2.3 實驗方案設計
為了探究RB-SiC試件在單顆金剛石磨粒剛性及柔性刻劃條件下的表面形貌及亞表面損傷的差異性,本文進行了單顆金剛石磨粒在兩種接觸狀態(tài)下的變切深刻劃實驗,如
為探究法向壓力、磨粒角度及刻劃速度對損傷的影響程度,進行了單顆金剛石磨粒在柔性接觸狀態(tài)下刻劃RB-SiC的正交實驗。實驗中保證刻劃深度恒定不變,根據(jù)變切深實驗得到刻劃過程中力的范圍,在此范圍內(nèi)選取三組大小不同的力,進而在不同的刻劃壓力(深度)、磨粒角度、刻劃速度下開展三因素三水平正交實驗。實驗參數(shù)如
參數(shù) | 數(shù)值 |
---|---|
磨粒角度/(°) | 80、100、120 |
刻劃速度/(mm·s-1) | 0.4、0.8、1.2 |
法向壓力/N | 5、10、15 |
刻劃長度/mm | 10 |
為了探究多顆磨粒與前述單顆粒相比刻劃的損傷形式是否發(fā)生變化,進行了多顆磨??虅漅B-SiC實驗。選取200#、400#、800#三種無磨損砂帶,并從中截取面積為25 mm2的正方形小塊,每小塊砂帶上包含10個金剛石磨粒簇,刻劃速度為0.4 mm/s,刻劃時法向壓力為15 N,實驗中保證恒切深刻劃且刻劃長度保持為10 mm。
所有刻劃實驗結束后,使用電火花線切割機將試樣切割成5 mm×15 mm×3 mm的樣塊用于分析測試,使用金相拋光機對試樣截面進行拋光,首先用W3.5的金相拋光劑對試樣的垂直截面進行粗拋,時間30~40 min,然后使用W1.5的金相拋光劑對其進行精拋,時間約1 h,充分消除上道工序引起的加工損傷后,使用酒精對相應截面進行清洗,再用HF腐蝕液對截面進行蝕刻,以便用電子掃描顯微鏡檢測。
3 結果分析與討論
3.1 單顆磨粒變切深刻劃
如
圖3劃痕SEM圖像
Fig.3Scratch SEM images
通過對兩種接觸狀態(tài)下的刻劃形貌進行分析可知,剛性狀態(tài)下刻劃更容易以脆性方式去除材料,而在相同刻劃階段內(nèi),柔性刻劃主要以微破碎形式去除材料,并且在刻劃Ⅰ階段時劃擦占據(jù)很大比例。相比之下,剛性刻劃時無論溝槽內(nèi)部或者溝槽邊緣都產(chǎn)生了大塊的脆性破碎。這主要是由于柔性裝置中橡膠層的作用,使磨粒在壓入工件后又在工件刻劃區(qū)域法向方向上有一定的回復作用,隨著刻劃過程的進行,刻劃深度不斷增加,回復能力逐漸增強。另外,柔性裝置對刻劃時的工件形貌有一定的適應能力,從而在一定程度上改變了材料的去除形式。
刻劃力和材料去除以及損傷有著密切聯(lián)系,材料本身缺陷以及大面積脆性斷裂是引起刻劃力波動的主要原因[
圖4 力-位移曲線
Fig.4 Force-displacement curve
圖5 亞表面SEM圖像
Fig.5 SEM images of subsurfaces
圖6 劃痕亞表面損傷深度及面積
Fig.6 Damage depth and area of scratch cross sections
(1) |
其中:表示為亞表面損傷率;Sd為亞表面損傷面積,單位為μm2;為劃痕溝槽截面面積,單位為μm2。
圖7 劃痕三維形貌
Fig.7 3D topography of scratch
通過上述對劃痕表面形貌及亞表面損傷的對比分析以及實驗指標的評定,初步得出:在相同工藝參數(shù)下,RB-SiC材料在柔性狀態(tài)下刻劃所產(chǎn)生的材料損傷更小。
3.2 單顆磨粒恒切深柔性刻劃
基于上述結論,為獲得磨粒角度、刻劃速度、法向壓力三種參數(shù)對柔性刻劃后材料損傷的影響規(guī)律,開展三因素三水平正交實驗,正交參數(shù)如
通過對正交各組實驗進行亞表面損傷檢測,得到不同參數(shù)下的亞表面損傷圖像,劃痕亞表面有材料脫落產(chǎn)生的直徑不同的凹坑和孔洞,劃痕截面底部及周圍有長度不一的裂紋產(chǎn)生。
圖8 極差分析結果
Fig.8 Extreme difference analysis results
Item | Abrasive angle/(°) | Scribing speed/(mm·s-1) | Normal force/N | ACL/μm | SFD/μm | |
---|---|---|---|---|---|---|
1 | 80 | 0.4 | 5 | 3.55 | 23.7 | |
2 | 80 | 0.8 | 10 | 5.08 | 29.3 | |
3 | 80 | 1.2 | 15 | 14.92 | 45.85 | |
4 | 100 | 0.4 | 10 | 6.12 | 29.91 | |
5 | 100 | 0.8 | 15 | 9.6 | 33.44 | |
6 | 100 | 1.2 | 5 | 4.25 | 18.55 | |
7 | 120 | 0.4 | 15 | 6.38 | 29.36 | |
8 | 120 | 0.8 | 5 | 4.10 | 22.28 | |
9 | 120 | 1.2 | 10 | 4.20 | 27.5 | |
△L | k1 | 7.851 | 5.347 | 3.97 | ||
k2 | 6.656 | 6.26 | 5.13 | |||
k3 | 4.291 | 7.789 | 10.3 | |||
R | 3.56 | 2.442 | 6.33 | |||
k1 | 32.95 | 27.66 | 21.51 | |||
△H | k2 | 27.3 | 30.7 | 28.9 | ||
k3 | 26.38 | 30.6 | 36.18 | |||
R | 6.57 | 3.04 | 14.67 |
圖9法向壓力的影響曲線及三維形貌圖
Fig.9Influence curve of normal pressure and three-dimensional topographies the scratch
圖10 劃痕表面SEM圖像、切向力及損傷影響曲線
Fig.10 SEM images of scratched surface, tangential force and damage influence curves
磨粒角度對于損傷的影響僅次于法向壓力,如
3.3 多顆磨粒恒切深柔性刻劃
在上述實驗及結論的基礎上開展了多顆金剛石磨粒柔性狀態(tài)下恒切深刻劃實驗,刻劃初始法向力采用15 N。通過對其刻劃形貌進行SEM檢測,得到不同磨??虅澋谋砻嫘蚊矆D如
圖11 表面及亞表面SEM圖像
Fig.11 Surface and subsurface SEM images
如
以此推斷,使用砂帶進行RB-SiC材料的磨削加工能夠達到較好的加工效果,同時能夠有效降低表面及亞表面損傷。
4 結 論
本文針對反應燒結碳化硅硬脆材料進行了系列刻劃實驗,研究了RB-SiC材料去除及亞表面損傷行為,得出以下結論:
(1)柔性刻劃能夠極大地降低刻劃力,從而有效抑制裂紋的產(chǎn)生及擴展,表面及亞表面損傷都大幅度減少。相同截面處,亞表面損傷面積平均約為剛性狀態(tài)下的20.38%,且亞表面破碎層深度約為剛性刻劃時的1/2。
(2)進行了單顆磨粒恒切深正交實驗,結果表明:法向壓力及磨粒角度對亞表層損傷影響程度較大,隨著法向壓力的增加、磨粒角度的減小,其亞表面損傷程度逐漸增大。
(3)多顆磨??虅澅砻婕皝啽砻鎿p傷程度相對單顆磨??虅澏即蠓冉档停襾啽砻嫫扑閷由疃炔怀^10 μm,最小達2.32 μm,這將為砂帶磨削RB-SiC提供指導。
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